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发布时间2023-2-28 10:31:00
摘要

IXGR60N60C3D1

产品属性 属性值 选择属性

制造商: IXYS

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: ISOPLUS247

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 2.5 V

栅极/发射极最大电压: - 20 V, + 20 V

在25 C的连续集电极电流: 75 A

Pd-功率耗散: 170 W

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

系列: IXGR60N60

封装: Tube

商标: IXYS

栅极—射极漏泄电流: 100 nA

产品类型: IGBT Transistors

工厂包装数量:30

子类别: IGBTs